型号:  SPD04N60S5

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  5.5V @ 200µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  22.9nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  580pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  50W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  950 毫欧 @ 2.8A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  22.9nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  580pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  PG-TO252-3

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs