型号: SPD07N20GBTMA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 200V 7A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压: ±20
安装: Surface Mount
包装宽度: 6.22
PCB: 2
最大功率耗散: 40000
最大漏源电压: 200
欧盟RoHS指令: Compliant
最大漏源电阻: 400@10V
每个芯片的元件数: 1
最低工作温度: -55
供应商封装形式: TO-252
标准包装名称: DPAK
最高工作温度: 175
渠道类型: N
包装长度: 6.5
引脚数: 3
通道模式: Enhancement
包装高度: 2.3
最大连续漏极电流: 7
封装: Tape and Reel
标签: Tab
铅形状: Gull-wing
连续漏极电流: 7 A
栅源电压(最大值): �20 V
功率耗散: 40 W
工作温度范围: -55C to 175C
包装类型: TO-252
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 200 V
弧度硬化: No
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