型号: SPD18P06PG
功能描述: MOSFET P-Ch -60V -18.6A DPAK-2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: - 18.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 80 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 11 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 5.8 ns
系列: SPD18P06
工厂包装数量: 2500
商标名: SIPMOS
典型关闭延迟时间: 24.5 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
零件号别名: SP000443926 SPD18P06PGBTMA1 SPD18P06PGXT
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