型号:  SPD30N03S2L-10 G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO252-3

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  30V

Id-连续漏极电流：  30A

Rds On-漏源导通电阻：  7.8mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.2V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  41.8nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +175C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  100W

通道模式：  Enhancement

高度：  2.3mm

长度：  6.5mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  6.22mm

正向跨导 - 最小值：  23.8S

下降时间：  17ns

上升时间：  13ns

典型关闭延迟时间：  27ns

典型接通延迟时间：  6.1ns

Packing Type：  TAPE & REEL

Moisture Level：  1

RDS (on) max：  10.0mΩ

IDpuls max：  120.0A

VDS max：  30.0V

ID max：  30.0 A

Package：  DPAK (TO-252)

Rth：  1.5K/W

QG：  31.4nC

Budgetary Price €€/1k：  0.33

RDS (on) (@4.5V) max：  14.6mΩ

Ptot max：  100.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  1.2 V 2.0 V

Coss：  450.0pF

Ciss：  1160.0 pF

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs