型号:  SPI07N65C3

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO262-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  7.3A

Rds On-漏源导通电阻：  600mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  21nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  83W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSC3

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  7ns

上升时间：  3.5ns

典型关闭延迟时间：  60ns

典型接通延迟时间：  6ns

RDS (on) max：  600.0mΩ

IDpuls max：  21.9A

VDS max：  650.0V

ID max：  7.3A

Package：  I2PAK (TO-262)

Rth：  1.5K/W

QG：  21.0nC

Ptot max：  83.0W

Polarity：  N

Pin Count：  3.0Pins

Operating Temperature min max：  -55.0°C 150.0°C

Mounting：  THT

Mode：  Enhancement

VGS(th) min max：  2.1V 3.9V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs