型号:  SPI11N60C3

功能描述:  Infineon Technologies/分立半导体产品

制造商:  Infineon Technologies

数据列表：  SP(P,I,A)11N60C3

产品培训模块：  CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters

标准包装：  500

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  CoolMOS??

包装：  管件

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  标准

漏源极电压（Vdss）：  650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  11A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  380 毫欧 @ 7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.9V @ 500µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  60nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1200pF @ 25V

功率 - 最大值：  125W

安装类型：  通孔

封装/外壳：  TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

供应商器件封装：  PG-TO262-3

其它名称：  SP000013522SPI11N60C3BKSA1SPI11N60C3HKSA1SPI11N60C3INSPI11N60C3XSPI11N60C3X-NDSPI11N60C3XKSPI11N60C3XKSA1