型号:  SPI12N50C3

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO262-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  500V

Id-连续漏极电流：  11.6A

Rds On-漏源导通电阻：  380mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  49nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  125W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSC3

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  8ns

上升时间：  8ns

典型关闭延迟时间：  45ns

典型接通延迟时间：  10ns

Packing Type：  TUBE

RDS (on) max：  380.0mΩ

IDpuls max：  34.8A

VDS max：  500.0V

ID max：  11.6A

Package：  I2PAK (TO-262)

Rth：  1.0K/W

QG：  49.0nC

Budgetary Price €€/1k：  0.82

Ptot max：  125.0W

Polarity：  N

VGS(th) min max：  2.1V 3.9V

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs