型号:  SPI20N65C3

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

安装风格：  ThroughHole

封装/外壳：  TO-262-3

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  20.7A

Rds On-漏源导通电阻：  190mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  2.1V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Qg-栅极电荷：  87nC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  208W

通道模式：  Enhancement

高度：  9.45mm

长度：  10.2mm

系列：  CoolMOSC3

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.5mm

下降时间：  4.5ns

上升时间：  5ns

典型关闭延迟时间：  67ns

典型接通延迟时间：  10ns

RDS (on) max：  190.0mΩ

IDpuls max：  62.1A

VDS max：  650.0V

RthJC max：  0.6 K/W

Package：  I2PAK (TO-262)

QG：  87.0 nC

Operating Temperature min max：  -55.0 °C 150.0 °C

Ptot max：  208.0W

Polarity：  N

Pin Count：  3.0Pins

VGS(th) min max：  2.1 V 3.9 V

Mounting：  THT

Mode：  Enhancement

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs