型号:  SPP08P06P H

功能描述:  MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  PG-TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  8.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  300 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  10 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  42 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  SIPMOS

封装:  Tube

高度:  15.65 mm

长度:  10 mm

系列:  SPP08P06

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  4.4 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  1.5 S

下降时间:  14 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  46 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  48 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  SP000446908 SPP08P06PHXKSA1 SPP8P6PHXK

单位重量:  6 g