型号:  SPP11N65C3

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

封装/外壳：  PG-TO220-3

安装风格：  ThroughHole

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  650V

Id-连续漏极电流：  11A

Rds On-漏源导通电阻：  380mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  33W

通道模式：  Enhancement

高度：  15.65mm

长度：  10mm

系列：  CoolMOSC3

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  4.4mm

下降时间：  5ns

上升时间：  5ns

典型关闭延迟时间：  44ns

典型接通延迟时间：  10ns

Packing Type：  TUBE

RDS (on) max：  400.0mΩ

IDpuls max：  33.0A

VDS max：  650.0V

ID max：  11.0A

RthJC max：  1.0 K/W

QG (typ @10V)：  45.0 nC

Package：  TO-220

Budgetary Price €€/1k：  1.2

Operating Temperature min：  -55.0°C

Ptot max：  125.0W

Polarity：  N

RthJA max：  62.0K/W

VGS(th) min max：  2.1 V 3.9 V

Mounting：  THT

Mode：  Enhancement

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs