型号:  SPP15P10PHXKSA1

功能描述:  Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP15P10PHXKSA1, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  15A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 1.54mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  48nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1280pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  128W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  240 毫欧 @ 10.6A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  通孔

供应商器件封装：  PG-TO-220-3

封装/外壳：  PG-TO220-3

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  15 A

最大漏源电压：  100 V

最大漏源电阻值：  0.24 0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2.1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  TO-220

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  小信号

最大功率耗散：  128 W

宽度：  4.57mm

高度：  15.95mm

最低工作温度：  -55 °C

长度：  10.36mm

每片芯片元件数目：  1

正向跨导：  9.3S

正向二极管电压：  1.35V

系列：  SIPMOS

尺寸：  10.36 x 4.57 x 15.95mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  37 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  961 pF @ -25 V

典型关断延迟时间：  33 ns

典型接通延迟时间：  9.5 ns

最高工作温度：  +175 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs