型号: SPP17N80C3
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
封装/外壳: PG-TO220-3
RoHS: Y
技术: Si
安装风格: ThroughHole
通道数量: 1Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800V
Id-连续漏极电流: 17A
Rds On-漏源导通电阻: 290mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1V
Vgs - 栅极-源极电压: 10V
Qg-栅极电荷: 88nC
最小工作温度: -55C
最大工作温度: +150C
配置: Single
Pd-功率耗散: 227W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 15.65mm
长度: 10mm
系列: CoolMOSC3
晶体管类型: 1N-Channel
宽度: 4.4mm
下降时间: 12ns
MXHTS: 85412999
上升时间: 15ns
典型关闭延迟时间: 72ns
典型接通延迟时间: 25ns
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 17A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 177nC @ 10V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 2320pF @ 25V
功率耗散(最大值): 208W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 290 毫欧 @ 11A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-3-1
商标名: CoolMOS
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
联系人:王小姐
电话:13715037703
联系人:陈敏
电话:17302670049
联系人:董先生
电话:18098996457
联系人:曹,林
电话:13352984345
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:Alien
联系人:樊勉
电话:17621743344
联系人:张仲然
电话:13128874365
联系人:马先生
电话:13601075042
联系人:曾先生
电话:13149949695