型号: SPP21N10
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 21A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 80 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 44µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 38.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 865pF @ 25V
功率 - 最大值： 90W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： PG-TO220-3
其它名称： SP000013842SPP21N10INSPP21N10XSPP21N10XTINSPP21N10XTIN-ND
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：汤凌峰
电话：13316824656
Q Q:
联系人：胡火平
电话：13713793406
Q Q:
联系人：李兴
电话：15910331599
Q Q:
