型号:  SPW52N50C3FKSA1

功能描述:  N-Channel 560 V 0.07 Ohm Cool MOS™ Power Transistor - PG-TO247-3

制造商:  Infineon Technologies

系列：  CoolMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  52A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  3.9V @ 2.7mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  290nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6800pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  417W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  70 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  通孔

封装/外壳：  PG-TO247-3

封装形式Package：  TO-247

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  560V

连续漏极电流ID：  52A

漏源电压（Vdss）：  560V

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  290nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6800pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

供应商器件封装：  PG-TO247-3

无铅情况/RoHs：  否