型号:  SQ1563AEH-T1_GE3

功能描述:  MOSFET N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  850 mA

Rds On-漏源导通电阻:  150 mOhms, 500 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV, 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  930 pC, 1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SQ

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  2.6 S, 1.5 S

下降时间:  17 ns, 20 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  21 ns, 22 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  20 ns, 28 ns

典型接通延迟时间:  3 ns, 2 ns

单位重量:  7.500 mg