型号:  SQ1912EH-T1_GE3

功能描述:  MOSFET 20V Vds 0.8A Id AEC-Q101 Qualified

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  800 mA

Rds On-漏源导通电阻:  200 mOhms, 200 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  450 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  1.15 nC, 1.15 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  1.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SQ

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  2.6 S, 2.6 S

下降时间:  17 ns, 17 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  21 ns, 21 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  19 ns, 19 ns

典型接通延迟时间:  3 ns, 3 ns

单位重量:  7.500 mg