SQ2301ES-T1-GE3规格参数_SQ2301ES-T1-GE3全国代理商/分销商

型号: SQ2301ES-T1-GE3
功能描述: Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2301ES-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商: Vishay
通道类型： P
最大连续漏极电流： 2.2 A
最大漏源电压： 20 V
最大漏源电阻值： 180 m0hms
最小栅阈值电压： 0.45V
最大栅源电压： -8 V、+8 V
封装类型： SOT-23
安装类型：表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
最大功率耗散： 3 W
典型接通延迟时间： 15 ns
典型关断延迟时间： 30 ns
典型输入电容值@Vds： 340 pF @ -10 V
典型栅极电荷@Vgs： 5 nC @ 4.5 V
晶体管材料： Si
系列： SQ Rugged
每片芯片元件数目： 1
宽度： 1.4mm
高度： 1.02mm
最高工作温度： +175 °C
长度： 3.04mm
尺寸： 3.04 x 1.4 x 1.02mm
最低工作温度： -55 °C
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs