型号:  SQ2309ES-T1-GE3

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  vishay / semiconductor

包装：  3SOT-23

渠道类型：  P

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  60 V

最大连续漏极电流：  1.7 A

RDS -于：  335@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  5 ns

典型上升时间：  9 ns

典型关闭延迟时间：  12 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

P（ TOT ）：  2W

匹配代码：  SQ2309ES

单位包：  3000

标准的提前期：  26 weeks

最小起订量：  3000

极化：  P-CHANNEL

无铅Defin：  RoHS-conform

汽车：  AEC-Q(101)

我（D ）：  1.7A

V（ DS ）：  60V

R（ DS上）：  0.335Ohm

连续漏极电流：  1.7 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  2 W

工作温度范围：  -55C to 175C

包装类型：  SOT-23

封装：  Tape and Reel

引脚数：  3

极性：  P

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  60 V

弧度硬化：  No