型号: SQ2364EES-T1_GE3
功能描述: MOSFET 60V Vds; +/-8V Vgs SOT-23; 4A Id
制造商: Vishay / Siliconix
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 240 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 460 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 2.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 8.8 S
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：谢
电话：13266658238
Q Q:
联系人：钟小姐
电话：13902432378
Q Q:
联系人：郭伟健
电话：13631653397
Q Q:
