型号: SQ3427EEV-T1-GE3
功能描述:
制造商: Vishay
FET 类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 32nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1125pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 30V
功率耗散（最大值）： 5W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 82 毫欧 @ 4.5A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： 6-TSOP
封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：陈敏
电话：17302670049
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：马先生
电话：13601075042
Q Q:
联系人：马信潮
电话：15986802007
Q Q:
联系人：郭生
电话：15333115582
Q Q:
