型号:  SQ4532AEY-T1_GE3

功能描述:  MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  7.3 A, 5.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  21 mOhms, 56 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V, 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  5.9 nC, 7.9 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  3.3 W, 3.3 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  SQ

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  22 S, 5.5 S

下降时间:  19 ns, 16 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  17 ns, 17 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  10 ns, 19 ns

典型接通延迟时间:  7 ns, 6 ns

单位重量:  74 mg