型号:  SQ4920EY-T1_GE3

功能描述:  MOSFET 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  8 A

Rds On-漏源导通电阻:  13 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  30 nC, 30 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  4.4 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  TrenchFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

系列:  SQ

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  43 S, 43 S

下降时间:  8 ns, 8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns, 10 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns, 25 ns

典型接通延迟时间:  7 ns, 7 ns

单位重量:  506.600 mg