型号: SQ4961EY-T1-GE3
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：85mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.3W(Tc) 类型：双P沟道
制造商: VISHAY(威世)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 4.4A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 85mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3.3W(Tc)
类型: 双P沟道
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