型号:  SQ9945BEY-T1_GE3

功能描述:  

制造商:  Vishay

系列：  TrenchFET®

FET类型：  2 个 N 沟道（双）

FET功能：  逻辑电平门

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  64 毫欧 @ 3.4A，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  12nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  470pF @ 25V

功率-最大值：  4W

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-SO

封装形式Package：  SOIC-8

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  5.4A

漏源极导通电阻RDS(ON)：  64mOhms

Id-连续漏极电流：  5.4A

Pd-功率耗散：  4W

Qg-栅极电荷：  12nC,12nC

Rds On-漏源导通电阻：  45mOhms,45mOhms

Vds-漏源极击穿电压：  60V

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

Vgs th-栅源极阈值电压：  1.5V

上升时间：  2.8ns,2.8ns

下降时间：  1.7ns,1.7ns

典型关闭延迟时间：  17ns,17ns

典型接通延迟时间：  6ns,6ns

安装风格：  SMD/SMT

宽度：  3.9mm

封装/外壳：  SO-8

晶体管极性：  N-Channel

晶体管类型：  2N-Channel

最大工作温度：  +175C

最小工作温度：  -55C

正向跨导 - 最小值：  12S,12S

系列：  SQ

资格：  AEC-Q101

通道数量：  2Channel

通道模式：  Enhancement

配置：  Dual

长度：  4.9mm

高度：  1.75mm

无铅情况/RoHs：  否