型号:  SQD30N05-20L-GE3

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK

制造商:  vishay / semiconductor

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  55 V

最大连续漏极电流：  30 A

RDS -于：  20@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  7 ns

典型上升时间：  10 ns

典型关闭延迟时间：  18 ns

典型下降时间：  5 ns

工作温度：  -55 to 175 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

单位包：  2000

最小起订量：  2000

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :30A

Drain Source Voltage Vds：  :55V

On Resistance Rds(on)：  :0.016ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :175°C

Transistor Case Style：  :TO-252

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

工作温度范围：  :-55°C to +175°C

Voltage Vgs Max：  :5V

Weight (kg)：  0.0003

Tariff No.：  85412900