型号:  SQD50N03-3M1L-GE3

功能描述:   MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252

制造商:  VISHAY

单位包：  3000

最小起订量：  3000

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  *

安装类型：  *

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  50A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

标准包装：  2,000

供应商设备封装：  *

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  3.1 mOhm @ 20A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  136W

封装/外壳：  *

输入电容（Ciss ） @ VDS：  6316pF @ 15V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  116nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :50A

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :0.0027ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

功耗：  :136W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :175°C

Transistor Case Style：  :TO-252

No. of Pins：  :3

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：  0.000426

Tariff No.：  85412900