SQD50N04-4M5L-GE3规格参数_SQD50N04-4M5L-GE3全国代理商/分销商

型号: SQD50N04-4M5L-GE3
功能描述: Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Vishay
通道类型： N
最大连续漏极电流： 50 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 6.8 m0hms
最小栅阈值电压： 1.5V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型：表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置：单
通道模式：增强
最大功率耗散： 136 W
典型接通延迟时间： 9 ns
典型关断延迟时间： 39 ns
典型输入电容值@Vds： 4880 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs： 85 nC @ 10 V
晶体管材料： Si
系列： SQ Rugged
宽度： 6.22mm
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +175 °C
长度： 6.73mm
高度： 2.38mm
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.38mm
汽车标准： AEC-Q101
每片芯片元件数目： 1
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs