型号: SQM120N04-1M8-GE3
功能描述: MOSFET N-CH 40V 120A TO263
制造商: VISHAY
单位包： 800
最小起订量： 800
FET特点： Standard
封装： Tape & Reel (TR)
安装类型： Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C： 120A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id： 3.5V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）： 40V
标准包装： 800
供应商设备封装： TO-263
开态Rds（最大）@ Id ，V GS： 1.8 mOhm @ 30A, 10V
FET型： MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大： 375W
封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容（Ciss ） @ VDS： 17350pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS： 310nC @ 10V
RoHS指令： Lead free / RoHS Compliant
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