型号:  SQM120P10_10M1LGE3

功能描述:  MOSFET P Ch -100Vds 20Vgs

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-263-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  120 A

Rds On-漏源导通电阻:  8.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  190 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  375 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  TrenchFET

封装:  Tube

高度:  4.83 mm

长度:  10.67 mm

系列:  SQ

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  9.65 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  60 S

下降时间:  200 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  100 ns

工厂包装数量:  800

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  120 ns

典型接通延迟时间:  20 ns

单位重量:  2.200 g