型号:  SQM200N04-1M1L-GE3

功能描述:   MOSFET N-CH 40V 200A TO-263

制造商:  VISHAY

单位包：  800

最小起订量：  800

FET特点：  Logic Level Gate

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  200A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.5V @ 250µA

漏极至源极电压（Vdss）：  40V

标准包装：  800

供应商设备封装：  TO-263-7

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  1.1 mOhm @ 30A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  375W

封装/外壳：  TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

输入电容（Ciss ） @ VDS：  20655pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  413nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

安装风格：  SMD/SMT

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

连续漏极电流：  200 A

正向跨导 - 闵：  219 S

RDS（ON）：  1.1 mOhms

功率耗散：  375 W

下降时间：  189 ns

商品名：  TrenchFET

典型关闭延迟时间：  665 ns

上升时间：  18 ns

漏源击穿电压：  40 V

RoHS：  RoHS Compliant By Exemption

栅极电荷Qg：  413 nC

Continuous Drain Current Id：  :200A

Drain Source Voltage Vds：  :40V

On Resistance Rds(on)：  :0.0008ohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V

Threshold Voltage Vgs：  :2V

功耗：  :375W

Operating Temperature Min：  :-55°C

Operating Temperature Max：  :175°C

Transistor Case Style：  :TO-263

No. of Pins：  :7

MSL：  :MSL 1 - Unlimited

Weight (kg)：  0.0001

Tariff No.：  85412900