型号:  SQP50P03-07_GE3

功能描述:  MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified

制造商:  Vishay / Siliconix

制造商:  Vishay

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-220-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  50 A

Rds On-漏源导通电阻:  5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  155 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  150 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  TrenchFET

高度:  15.49 mm

长度:  10.41 mm

系列:  SQ

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  4.7 mm

商标:  Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:  62 S

下降时间:  26 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  10 ns

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  63 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

单位重量:  1.800 g