型号: SQR40N10-25-GE3
功能描述: Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQR40N10-25-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: Vishay
通道类型: N
最大连续漏极电流: 40 A
最大漏源电压: 100 V
最大漏源电阻值: 63 m0hms
最小栅阈值电压: 1.5V
最大栅源电压: -20 V、+20 V
封装类型: DPAK (TO-252)
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 3
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 136 W
最低工作温度: -55 °C
高度: 2.33mm
每片芯片元件数目: 1
尺寸: 6.73 x 6.22 x 2.33mm
宽度: 6.22mm
系列: SQ Rugged
汽车标准: AEC-Q101
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 46 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds: 2703 pF @ 25 V
典型关断延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
最高工作温度: +175 °C
长度: 6.73mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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