型号: SSD12P10
功能描述: MOS(场效应管)
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 8.8A(Tc)
栅源极阈值电压: 2.5V @ 250uA
漏源导通电阻: 250mΩ @ 3.6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 32.1W(Tc)
类型: P沟道
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