型号: SSM3J112TU,LF
功能描述: MOSFET Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UFM-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Rds On-漏源导通电阻: 310 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 800 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
系列: SSM3J112TU
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 0.5 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 8.5 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 6.600 mg
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