型号:  SSM3J120TU(T5L,T)

功能描述:   MOSFET P-Ch FET Mosfet 1.5V -20Vds +8V

制造商:  Toshiba

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  4A

Rds（最大）@ ID，VGS：  38 mOhm @ 3A, 4V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  22.3nC @ 4V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  1484pF @ 10V

功率 - 最大：  500mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  3-SMD, Flat Leads

供应商器件封装：  UFM (2.0x2.1)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16563?mpart=SSM3J120TU(T5L,T)&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

最大门源电压：  ±8

欧盟RoHS指令：  Supplier Unconfirmed

最高工作温度：  150

通道模式：  Enhancement

最低工作温度：  -55

渠道类型：  P

封装：  Tape and Reel

最大漏源电阻：  38@4V

最大漏源电压：  20

每个芯片的元件数：  1

供应商封装形式：  UFM

最大功率耗散：  800

最大连续漏极电流：  4

引脚数：  3

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  4A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 1mA

供应商设备封装：  UFM

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  38 mOhm @ 3A, 4V

FET型：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  500mW

标准包装：  3,000

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  1484pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  22.3nC @ 4V

封装/外壳：  3-SMD, Flat Leads

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

产品种类：  MOSFET

RoHS：  RoHS Compliant