型号: SSM3J15FV
功能描述: Toshiba P沟道 MOSFET SSM3J15FV, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-723封装
制造商: Toshiba
通道类型： P
最大连续漏极电流： 100 mA
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 32 0hms
最大栅阈值电压： 1.7V
最小栅阈值电压： 1.1V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOT-723
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 150 mW
典型接通延迟时间： 65 ns
典型关断延迟时间： 175 ns
典型输入电容值@Vds： 9.1 pF @ 3 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 1.2mm
长度： 0.8mm
高度： 0.5mm
尺寸： 0.8 x 1.2 x 0.5mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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