型号: SSM3J306T(TE85L,F)
功能描述: Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
数据列表： SSM3J306T -
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平栅极，4V 驱动
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 2.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 117 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2.5nC @ 15V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 280pF @ 15V
功率 - 最大值： 700mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： TSM
其它名称： SSM3J306T (TE85L,F)SSM3J306T(TE85LF)TRSSM3J306TTE85LF
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