型号:  SSM3J36MFV,L3F

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  SSM3J36MFV -

标准包装：  8,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  330mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  1.31 欧姆 @ 100mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  1.2nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  43pF @ 10V

功率 - 最大值：  150mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-723

供应商器件封装：  VESM

其它名称：  SSM3J36MFV (TL3,T)SSM3J36MFV(TL3,T)SSM3J36MFV(TL3T)TRSSM3J36MFV(TL3T)TR-NDSSM3J36MFV,L3F(TSSM3J36MFVL3FTRSSM3J36MFVTL3T