型号:  SSM3J56MFV,L3F(T

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

数据列表：  SSM3J56MFV -

产品培训模块：  General Purpose Discrete Items

标准包装：  8,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，1.2V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  800mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  390毫欧 @ 800mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  100pF @ 10V

功率 - 最大值：  150mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  SOT-723

供应商器件封装：  VESM

其它名称：  SSM3J56MFV,L3FSSM3J56MFVL3F(TTRSSM3J56MFVL3FTSSM3J56MFVL3FTRSSM3J56MFVL3FTR-ND