型号: SSM3K09FU
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K09FU, 400 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 400 mA
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 1.7 0hms
最大栅阈值电压： 1.8V
最小栅阈值电压： 1.1V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOT-323
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 3
晶体管配置： 单
通道模式： 增强
最大功率耗散： 150 mW
典型接通延迟时间： 72 ns
典型关断延迟时间： 68 ns
典型输入电容值@Vds： 20 pF @ 5 V
每片芯片元件数目： 1
宽度： 2mm
长度： 1.25mm
高度： 0.9mm
尺寸： 1.25 x 2 x 0.9mm
最高工作温度： +150 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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