型号:  SSM3K123TU,LF

功能描述:  Toshiba Semiconductor and Storage/分立半导体产品

制造商:  Toshiba Semiconductor and Storage

产品培训模块：  Small Signal MOSFET

标准包装：  3,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  -

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  4.2A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  28 毫欧 @ 3A，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  13.6nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  1010pF @ 10V

功率 - 最大值：  500mW

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  3-SMD，扁平引线

供应商器件封装：  UFM

其它名称：  SSM3K123TU (T5L,T)SSM3K123TU(T5L,T)SSM3K123TU(T5LT)TRSSM3K123TU(T5LT)TR-NDSSM3K123TU(TE85L)SSM3K123TU(TE85L)TRSSM3K123TU(TE85L)TR-NDSSM3K123TU,LF(TSSM3K123TULFTRSSM3K123TUT5LT