型号: SSM3K329R
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET SSM3K329R, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23F封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 3.5 A
最大漏源电压： 30 V
最大漏源电阻值： 289 m0hms
最大栅阈值电压： 1V
最小栅阈值电压： 0.4V
最大栅源电压： ±12 V
封装类型： SOT-23F
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
最大功率耗散： 2 W
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 2.9mm
高度： 0.7mm
宽度： 1.8mm
典型栅极电荷@Vgs： 1.5 nC @ 4 V
典型输入电容值@Vds： 123 pF @ 15 V
典型关断延迟时间： 6.4 ns
典型接通延迟时间： 9.2 ns
尺寸： 2.9 x 1.8 x 0.7mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：吴丽花
电话：13342971909
Q Q:
联系人：肖小姐
电话：13302470228
Q Q:
联系人：王S
电话：18833053628
Q Q:
