型号:  SSM3K36MFV(TL3,T)

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin VESM

制造商:  toshiba

标准包装：  8,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

漏极至源极电压（VDSS）：  20V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  500mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  630 mOhm @ 200mA, 5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  1.23nC @ 4V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  46pF @ 10V

功率 - 最大：  150mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  SOT-723

供应商器件封装：  VESM (1.2x1.2)

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16227?mpart=SSM3K36MFV(TL3,T)&vendor=264&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  3VESM

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  20 V

最大连续漏极电流：  0.5 A

RDS -于：  630@5V mOhm

最大门源电压：  ±10 V

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

FET特点：  Logic Level Gate, 1.5V Drive

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  500mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 1mA

供应商设备封装：  VESM

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  630 mOhm @ 200mA, 5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  150mW

漏极至源极电压（Vdss）：  20V

输入电容（Ciss ） @ VDS：  46pF @ 10V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  1.23nC @ 4V

封装/外壳：  SOT-723

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

产品种类：  MOSFET

RoHS：  RoHS Compliant