型号: SSM3K59CTB,L3F
功能描述: MOSFET Small-signal MOSFET ID: 2A, VDSS: 40V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CST3B-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 1.1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1000 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.48 mm
长度: 1.2 mm
系列: SSM3K59
宽度: 0.8 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 8 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
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