型号: SSM5H08TU,LF
功能描述: SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+SBD VDS
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列: U-MOSIII
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 160 毫欧 @ 750mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.1V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 1.1V @ 100µA
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 125pF @ 10V
FET 功能: 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: UFV
封装/外壳: 6-SMD（5引线），扁引线
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