型号: SSM6H19NU,LF
功能描述: MOSFET UDFN6 S-MOS TRSTR Pd: 0.5W F: 1MHz
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: UDFN-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel, SBD
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 160 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 3.6 V
Qg-栅极电荷: 1 nC
Pd-功率耗散: 1 W
配置: Single
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.75 mm
长度: 2 mm
系列: SSM6H19
晶体管类型: 1 N-Channel, SBD
宽度: 2 mm
商标: Toshiba
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
联系人：王静
电话：13261242936
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：张先生
电话：13480674181
Q Q:
联系人：周泽龙
电话：17318032907
Q Q:
联系人：刘生
电话：15994811639
Q Q:
