型号: SSM6J216FE,LF
功能描述: MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V
制造商: Toshiba
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 4.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 8 V
Qg-栅极电荷: 12.7 nC
最小工作温度: -
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: SSM6J216FE
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Toshiba
正向跨导 - 最小值: 5 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 4000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 145 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
单位重量: 3 mg
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