型号: SSM6J53FETE85LF
功能描述:
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 20 V
闸/源击穿电压: +/- 8 V
漏极连续电流: 1.8 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.136 Ohms at 2.5 V (Typ)
配置: Single Quad Drain
最大工作温度: + 150 C
封装: Reel
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 500 mW
工厂包装数量: 4000
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