型号: SSM6K403TU
功能描述: Toshiba N沟道 MOSFET SSM6K403TU, 4.2 A, Vds=20 V, 6引脚 UF6封装
制造商: Toshiba
通道类型： N
最大连续漏极电流： 4.2 A
最大漏源电压： 20 V
最大漏源电阻值： 66 m0hms
最大栅阈值电压： 1V
最小栅阈值电压： 0.35V
最大栅源电压： ±10 V
封装类型： uF6
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 6
通道模式： 增强
最大功率耗散： 500 mW
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 1.7mm
高度： 0.7mm
宽度： 2mm
典型栅极电荷@Vgs： 16.8 nC @ 4 V
典型输入电容值@Vds： 1050 pF @ 10 V
典型关断延迟时间： 32 ns
典型接通延迟时间： 18 ns
尺寸： 1.7 x 2 x 0.7mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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