型号: SSM6L16FETE85LF
功能描述:
制造商: Toshiba Semiconductor and Storage
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 100mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.1V @ 0.1mA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 9.3pF @ 3V
功率 - 最大值： 150mW
工作温度： 150°C（TA）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： ES6（1.6x1.6）
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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